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晶体管
CSD19534KCS参考图片

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CSD19534KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:11,068(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.9212
2960.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
16.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
118 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19534KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19534KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:45805
晶体管
IGBT 模块 600V 400A Dual 150TVj
1:¥1,604.3401
5:¥1,565.7732
10:¥1,526.8899
25:¥1,505.4538
参考库存:45810
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNPANSISTOR
2,500:¥2.1131
10,000:¥2.034
25,000:¥1.9549
参考库存:45815
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,028.5825
参考库存:45820
晶体管
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
800:¥9.6841
参考库存:45825
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