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晶体管
IKQ50N120CT2XKSA1参考图片

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IKQ50N120CT2XKSA1

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数量单价合计
1
¥89.6768
89.6768
10
¥82.4448
824.448
25
¥78.987
1974.675
100
¥69.6193
6961.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3-46
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
652 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKQ50N120CT2 SP001272736
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKQ50N120CT2XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310504SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:42823
JANTX2N3867S
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HN4B01JE(TE85L,F)
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Vceo=-50V Vceo=50V
暂无价格
参考库存:42833
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STWA20N95K5
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10:¥64.4665
25:¥61.472
100:¥53.4038
参考库存:12625
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