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晶体管
MRF1K50GNR5参考图片

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MRF1K50GNR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,334.9368
1334.9368
5
¥1,306.7433
6533.7165
10
¥1,278.5385
12785.385
25
¥1,246.2657
31156.6425
50
¥1,213.9138
60695.69
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230G-4L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
2.941 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935316371578
单位重量
5.282 g
商品其它信息
优势价格,MRF1K50GNR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:15794
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
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