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晶体管
STGW60H65DF参考图片

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STGW60H65DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
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库存:8,927(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.8509
68.8509
10
¥62.2404
622.404
25
¥59.325
1483.125
100
¥51.5619
5156.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
360 W
系列
STGW60H65DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H65DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:10138
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:1915
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
2,000:¥6.8365
参考库存:78537
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11869
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:32671
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