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晶体管
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STGB30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5944
235.944
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
1,000
¥14.6787
14678.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30V60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，STGB30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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