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晶体管

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2SC5949-R(Q)

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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 200V 15A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5949
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
55 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
220000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SC5949-R(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3070
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:31962
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6051
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:3164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 65V 100mA HFE/450
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:80973
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