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晶体管
JANTX2N918/TR参考图片

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JANTX2N918/TR

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥114.8758
11487.58
250
¥104.7284
26182.1
500
¥97.971
48985.5
1,000
¥89.8237
89823.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-72-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 3 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
10 at 500 uA, 10 V
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTX2N918/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6106
500:¥7.5823
2,500:¥5.8534
5,000:查看
参考库存:21865
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.4015
500:¥6.5427
2,500:¥4.5765
10,000:查看
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
1:¥5.6048
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8871
参考库存:21784
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:5121
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:9063
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