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晶体管
STGWF30NC60S参考图片

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STGWF30NC60S

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
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数量单价合计
1
¥27.5042
27.5042
10
¥23.3571
233.571
100
¥20.2835
2028.35
250
¥19.21
4802.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGWF30NC60S
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
22 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，STGWF30NC60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
参考库存:50381
TSM9ND50CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥6.215
6,000:¥5.989
10,000:¥5.8647
参考库存:50386
APTGT150SK170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥871.3656
参考库存:50391
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:50396
PTFB183404F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:50401
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