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晶体管
SUM80090E-GE3参考图片

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SUM80090E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥26.8149
26.8149
10
¥23.8995
238.995
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.3625
4590.625
500
¥16.8257
8412.85
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
128 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUM
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
114 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SUM80090E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC3025LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:16629
PDTD143ETVL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.39211
20,000:¥0.36838
50,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:24134
BC846ASQ-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
参考库存:24139
DCX143EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24144
JANTX2N3741
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥259.7983
5:¥246.8146
10:¥240.2832
25:¥220.8359
50:¥211.536
参考库存:2131
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