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晶体管

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APTGT150SK170G

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数量单价合计
100
¥871.3656
87136.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
250 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150SK170G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:10402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:173194
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.3844
10:¥3.6612
100:¥2.3052
1,000:¥1.7289
参考库存:18586
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:37458
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
1:¥4.4522
10:¥2.9606
100:¥1.8419
500:¥1.6498
8,000:¥1.03734
参考库存:44580
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