TSM9ND50CI C0G详细参数_参考价格_TSM9ND50CI C0G PDF资料_Taiwan Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	ITO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	9 A
Rds On-漏源导通电阻	900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	24.5 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	50 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
下降时间	21 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	8.6 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VN2406L-G P013	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	1:¥8.4524 10:¥7.7631 25:¥6.4523 100:¥5.9212 250:¥5.4805 2,000:¥5.4805	参考库存:29406
NSBC144TF3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B	1:¥2.6894 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 8,000:¥0.66896 24,000:查看	参考库存:29411
SIHB16N50C-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 500V	1:¥49.946 10:¥41.4145 100:¥34.1147 250:¥33.0412 500:¥29.6625 1,000:¥29.6625	参考库存:11913
2SB1386T100Q	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A	1:¥4.5313 10:¥3.7516 100:¥2.2939 1,000:¥1.7628 2,000:¥1.5029	参考库存:7150
TK8Q60W,S1VQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC	1:¥17.3681 10:¥13.9894 100:¥11.2209 500:¥9.831	参考库存:29420