SIHP35N60EF-GE3详细参数_参考价格_SIHP35N60EF-GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	32 A
Rds On-漏源导通电阻	97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	134 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	250 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	EF
晶体管类型	1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	8 S
下降时间	61 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	85 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	96 ns
典型接通延迟时间	28 ns

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PIMZ2,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7	3,000:¥0.41471 9,000:¥0.36838 24,000:¥0.34578 45,000:¥0.30736 99,000:¥0.29945	参考库存:25543
STB14N80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package	1:¥25.5832 10:¥21.7412 100:¥18.8258 250:¥17.8314 1,000:¥13.5261 2,000:查看	参考库存:25548
MSC060SMA070B	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥134.8542 5:¥130.854 10:¥124.7068 25:¥116.6386	参考库存:5595
DMP1005UFDF-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V	1:¥3.6838 10:¥3.1075 100:¥1.8984 1,000:¥1.469 2,500:¥1.2543 10,000:¥1.2543	参考库存:25555
DMT5015LFDF-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A	10,000:¥1.4577	参考库存:255152