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晶体管
DMT10H072LFDF-13参考图片

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DMT10H072LFDF-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.6442
264.42
1,000
¥2.1244
2124.4
10,000
¥2.1244
21244
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMT10H072LFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
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1:¥7.5258
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100:¥4.9607
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1,000:¥3.4578
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晶体管
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1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
10,000:¥0.12317
20,000:查看
参考库存:159060
晶体管
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1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
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晶体管
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1:¥5.4579
10:¥4.5652
100:¥2.938
1,000:¥2.3617
3,000:¥2.3617
参考库存:30354
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