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晶体管
FDMC4435BZ-F127参考图片

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FDMC4435BZ-F127

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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDMC4435BZ_F127
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格,FDMC4435BZ-F127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
4,000:¥0.88366
8,000:¥0.82942
参考库存:42176
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:188258
晶体管
MOSFET FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
3,000:¥14.5996
6,000:查看
参考库存:89675
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥5.989
10:¥5.3223
25:¥4.8138
100:¥4.2149
3,000:¥2.2939
6,000:查看
参考库存:6497
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