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晶体管
GS66508T-E02-MR参考图片

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GS66508T-E02-MR

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存:17,322(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.865
124.865
10
¥120.8648
1208.648
25
¥115.1809
2879.5225
250
¥106.9658
26741.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
7 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
GaN Systems
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
GS66508T-E02-MR
商品其它信息
优势价格,GS66508T-E02-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:12841
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥57.0876
10:¥51.5619
25:¥49.1776
100:¥42.7253
参考库存:11038
晶体管
MOSFET NCH 0.9V DRIVE SERIE
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
参考库存:70640
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 12A 0.104R
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2205
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:17792
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:5539
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