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晶体管
MMBT2907ALT1XT参考图片

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MMBT2907ALT1XT

  • Infineon Technologies
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
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数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.1413
11.413
100
¥0.47686
47.686
1,000
¥0.32318
323.18
3,000
¥0.25312
759.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
600 mA
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2907A LT1 MMBT MMBT2907ALT1HTSA1 SP000011179
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT2907ALT1XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:23482
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.79891
1,000:¥0.61472
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:23487
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
1,500:¥1.1639
参考库存:23492
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 15V HIGH GAIN
2,000:¥3.7064
参考库存:23497
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:23502
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