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晶体管
R6004ENDTL参考图片

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R6004ENDTL

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存：50,550(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.729
9322.5
10,000
¥3.5934
35934
25,000
¥3.4804
87010
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
980 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.5 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
1 N-channel
类型
Power MOSFET
宽度
5.8 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
R6004END
商品其它信息
优势价格，R6004ENDTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPC3980ZTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET
1:¥6.6896
10:¥5.8195
25:¥5.6726
50:¥5.4918
1,000:¥2.5764
参考库存:20460
BSS306N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.4521
100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:337832
PMPB27EP,115
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB27EP/SOT1220/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:82899
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
5,000:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:46301
SI1302DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.243
参考库存:199208
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