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晶体管
NGTB15N120IHWG参考图片

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NGTB15N120IHWG

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
278 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，NGTB15N120IHWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥84.8291
250:¥77.4502
500:¥72.5347
1,000:¥64.6247
参考库存:38588
JANS2N2369AUA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥872.4391
100:¥853.4664
参考库存:38593
JANTXV2N3637/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥211.1518
250:¥193.795
500:¥184.416
参考库存:38598
JAN2N2221AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥90.2079
250:¥82.2188
500:¥76.9191
1,000:¥70.5346
参考库存:38603
PN4391
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW 30 Ohm
2,500:¥2.2713
10,000:¥2.1922
25,000:¥2.1018
参考库存:38608
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