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晶体管

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BCR 555 E6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8419
18.419
100
¥0.7684
76.84
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.22
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCR555
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCR555E6327HTSA1 BCR555E6327XT SP000010855
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCR 555 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,000:¥2.4634
参考库存:13407
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Small Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
4,000:¥0.33787
参考库存:50794
晶体管
MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1188
1,000:¥2.4973
3,000:¥2.1018
参考库存:415761
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:27198
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥10.9158
参考库存:54740
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