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晶体管
GSM-065-240-1-N-0参考图片

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GSM-065-240-1-N-0

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 650V, 240A, 6 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
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数量单价合计
1
¥3,838.158
3838.158
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
GSM-065
晶体管类型
2 N-Channel
商标
GaN Systems
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,GSM-065-240-1-N-0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:30323
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥33.6514
10:¥30.0467
25:¥27.0522
50:¥26.3516
参考库存:2905
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61152
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:112584
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:10061
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