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STW24N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.9677
319.677
25
¥31.3462
783.655
100
¥27.6624
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
FDmesh
封装
Tube
系列
STW24N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW24N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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