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晶体管
STF45N10F7参考图片

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STF45N10F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100V 0.0145 Ohm typ 30A STripFET VII
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STF45N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF45N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHB23N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥35.5724
10:¥31.8095
100:¥26.2838
250:¥23.1311
参考库存:11886
TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 51A 13mOhm N-Chan Pwr MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥4.1923
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:51839
IPB60R199CPA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2101
250:¥20.1366
1,000:¥15.2889
2,000:查看
参考库存:51844
A2T21H450W19SR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,466.2654
参考库存:51849
IRF3205STRRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
800:¥5.8534
参考库存:51854
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