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晶体管
STF100N6F7参考图片

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STF100N6F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 60 V, 4.6 mOhm typ., 46 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STF100N6F7
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.6 ns
典型接通延迟时间
21.6 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STF100N6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2706
2PB709ASL,235
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin
10,000:¥0.1695
20,000:¥0.15368
50,000:¥0.13786
100,000:¥0.11526
参考库存:25006
NSBC123JPDXV6T5G
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双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
8,000:¥0.45313
16,000:¥0.45313
24,000:¥0.43053
48,000:¥0.37629
96,000:¥0.36838
参考库存:25011
DTA114EU3HZGT106
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:17513
PDTC143XT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:57810
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