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FP75R12KE3

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1
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5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,068.9235
26723.0875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KE3BOSA1 SP000100415
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格，FP75R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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45,000:¥0.20792
参考库存:154666
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