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晶体管
CSD18509Q5B参考图片

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CSD18509Q5B

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.2999
4649.95
2,500
¥7.2207
18051.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18509Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
134.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18509Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
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双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:783213
晶体管
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1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
24,000:查看
参考库存:68735
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI830G
1:¥13.9103
10:¥11.526
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4636
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:13704
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