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晶体管

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BSM10GP60

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数量单价合计
1
¥563.8474
563.8474
5
¥553.474
2767.37
10
¥539.1908
5391.908
25
¥528.5801
13214.5025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
80 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM10GP60BOSA1 SP000095939
商品其它信息
优势价格,BSM10GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:2660
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13852
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:2564
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:40011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:3658
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