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分立半导体
SQJ469EP-T1_GE3参考图片

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SQJ469EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥24.8939
24.8939
10
¥23.7413
237.413
100
¥19.1309
1913.09
500
¥15.0629
7531.45
3,000
¥11.3678
34103.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
101 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ469EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHB22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1,000:¥18.5998
2,000:¥17.6732
5,000:¥16.9839
参考库存:43844
U557
InterFET
分立半导体
JFET 50V Current Reg 50mA 360mW 5.3 If
103:¥63.5512
500:¥57.9351
1,000:¥50.4884
参考库存:43849
APTGT150A60T3AG
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥657.3662
5:¥636.1561
10:¥616.2568
25:¥587.5209
参考库存:43854
VS-6FR100M
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3
1:¥87.0552
10:¥78.3768
25:¥71.3821
100:¥64.4665
参考库存:43859
VS-VSKU91/08
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 800 Volt 95 Amp 2094 Amp ITSM
1:¥360.5378
5:¥350.9328
10:¥337.3276
25:¥311.9704
参考库存:43864
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