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分立半导体
IPP020N08N5AKSA1参考图片

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IPP020N08N5AKSA1

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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.9732
7243.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
223 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
114 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
102 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
IPP020N08N5 SP001132480
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N08N5AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:62053
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