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分立半导体
IKW30N60T参考图片

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IKW30N60T

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
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数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60TFKSA1 IKW3N6TXK SP000054887
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier
1:¥6.8365
10:¥5.7856
100:¥4.4522
500:¥3.9211
1,000:¥3.1075
参考库存:4268
分立半导体
稳压二极管 200mW18V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:30110
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Rec
1:¥3.2996
10:¥2.2826
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:26982
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH 100MA 80V
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:33199
分立半导体
MOSFET BUK9K134-100E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥6.3054
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2826
参考库存:18676
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