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分立半导体
SI5504BDC-T1-GE3参考图片

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SI5504BDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
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  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.12 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S, 3.5 S
下降时间
25 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 30 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，SI5504BDC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3015B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥201.5468
250:¥184.9584
500:¥176.0427
参考库存:32542
1N5932D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥76.84
10:¥69.2351
25:¥63.0879
100:¥56.9407
参考库存:32547
JAN2N720A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥90.287
10:¥81.2244
25:¥73.9924
100:¥66.7717
参考库存:32552
1N5188US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥84.6031
10:¥76.84
25:¥71.1561
50:¥67.3141
100:¥65.3931
参考库存:32557
QK016NH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 16A 35-35-35mA
500:¥16.4415
参考库存:32562
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