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分立半导体
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IPB014N06NATMA1

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数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5153
235.153
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
1,000
¥14.6787
14678.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS Power Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
IPB014N06N IPB14N6NXT SP000917408
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB014N06NATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330S04P0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,247.7234
12:¥1,216.7614
30:¥1,199.6984
参考库存:39784
3EZ22D10E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.0059
9,000:¥4.8251
参考库存:39789
SML4759-E3/5A
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-SML4759/5A
7,500:¥1.1752
参考库存:39794
BZG05B5V1-HM3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:39799
GLL4735A-E3/97
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 5%
5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:39804
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