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分立半导体
STGWT20V60DF参考图片

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STGWT20V60DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:5198
分立半导体
稳压二极管 200 Volt 2 Watt 5%
1:¥4.6104
10:¥2.6894
100:¥2.147
500:¥1.2656
3,500:¥0.84524
7,000:查看
参考库存:18675
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.068
10:¥2.7007
100:¥1.6724
500:¥1.5029
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:17662
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:3094
分立半导体
稳压二极管 39V 5% 2W 5mA FLT LD 2.4mm x 4.7mm
1:¥5.0737
10:¥3.7064
100:¥2.3391
500:¥1.8871
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5933
参考库存:19491
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