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分立半导体
TK7J90E,S1E参考图片

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TK7J90E,S1E

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK7J90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,TK7J90E,S1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Power MOSFET 30V 100A 8.4 mOhm Single
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:10851
分立半导体
稳压二极管 100mW 4.7V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:79053
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 100V SMB (Halogen Free)
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:31605
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:12257
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 ESV, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:22584
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