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分立半导体
IDW30E60FKSA1参考图片

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IDW30E60FKSA1

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  • 二极管 - 通用,功率,开关 IGBT PRODUCTS
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数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
1,000
¥10.0683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
二极管 - 通用,功率,开关
RoHS
产品
General Purpose Diodes
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
峰值反向电压
600 V
最大浪涌电流
150 A
If - 正向电流
30 A
恢复时间
255 ns
Vf - 正向电压
1.6 V
Ir - 反向电流
1000 uA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IDW30E60
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
143 W
产品类型
Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量
240
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
IDW30E60 IDW3E6XK SP000916104
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IDW30E60FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
2,500:¥3.1527
参考库存:19846
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:44900
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9156
参考库存:44905
分立半导体
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥405.7943
5:¥396.7204
10:¥378.5952
25:¥362.6848
参考库存:44910
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:44915
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