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分立半导体
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT45GR65B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 schottky diode
1:¥2.9945
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:197435
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 250V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:15727
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE G4005CT/SOT2
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:75084
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 100V 125W PNP
1:¥19.2891
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:16356
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100 Volt 5.0 Amp 200 Amp IFSM
1:¥4.7686
10:¥3.7855
100:¥2.8702
500:¥2.3617
1,400:¥1.8984
2,800:¥1.7176
参考库存:15858
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