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分立半导体
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DMG9N65CT

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
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¥7.9891
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100
¥5.2206
522.06
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
DMG9N65
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
122 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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