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射频晶体管
T2G6001528-SG参考图片

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T2G6001528-SG

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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库存:4,592(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格,T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2939
参考库存:36031
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:40068
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:7233
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:40075
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:40080
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