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射频晶体管
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D2214UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
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¥336.2541
16812.705
100
¥325.1123
32511.23
250
¥319.5753
79893.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Flangeless DP
配置
Single
高度
3.56 mm
长度
6.35 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2214UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1090-550S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥3,627.9215
参考库存:34506
SD1480
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
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BFR 380L3 E6327
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
参考库存:226123
BFP182WH6327XTSA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:13175
PH1214-25M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,619.7081
参考库存:1162
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