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射频晶体管

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AGR09130EF

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数量单价合计
1
¥963.4154
963.4154
5
¥884.0442
4420.221
10
¥793.373
7933.73
25
¥702.7018
17567.545
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，AGR09130EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA093818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:34763
AFV141KHSR5
NXP / Freescale
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50:¥3,779.1494
参考库存:34768
CGHV96050F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
暂无价格
参考库存:34773
BLV34
Advanced Semiconductor, Inc.
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1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
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HFA3127BZ
Renesas / Intersil
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射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
1:¥73.9924
10:¥66.8508
25:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:3963
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