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射频晶体管
BF510,215参考图片

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BF510,215

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最大漏极/栅极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
0.0001 S
闸/源截止电压
0.8 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933505270215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF510,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH2226-110M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,251.7962
2:¥2,214.2237
5:¥2,177.8716
10:¥2,142.7625
25:¥2,065.5383
参考库存:4930
D5001UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
1:¥428.383
10:¥378.2788
25:¥343.1697
50:¥321.8805
参考库存:38272
MMRF1009HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:38277
VRF141G
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
5:¥873.4448
10:¥845.24
参考库存:4937
PTFB091802FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥524.7381
参考库存:38284
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