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射频晶体管
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SD1458

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数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
10 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
170 MHz to 230 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
140 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，SD1458的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NESG2101M05-EVPW24-A
Renesas Electronics
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射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator
暂无价格
参考库存:38959
BFU520YX
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1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥2.2261
9,000:¥2.1583
参考库存:13949
MMBFJ309
ON Semiconductor / Fairchild
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1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:44381
A2T18S162W31GSR3
NXP / Freescale
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250:¥768.7842
参考库存:38968
PTRA097008NB-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥1,018.13
参考库存:38973
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