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射频晶体管
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MMBTH81

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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBTH81
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
600 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
MMBTH81_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBTH81的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥942.6008
参考库存:38417
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:5502
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:38424
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:33824
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:115391
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