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射频晶体管
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MRF150

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
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数量单价合计
1
¥376.742
376.742
10
¥352.2323
3522.323
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
150 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格,MRF150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
1:¥1,011.2935
10:¥889.2648
25:¥790.4576
50:¥709.075
参考库存:34967
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:34972
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
50:¥619.5564
参考库存:34977
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:27362
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥567.8476
100:¥554.6266
参考库存:34984
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