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射频晶体管

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NESG3032M14-EVNF24

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  • 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
类型
RF Silicon Germanium
商标
Renesas Electronics
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NESG3032M14-EVNF24的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:34450
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:1175
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:16027
射频晶体管
射频开发工具 NF .75dB Gain 14dB Eval Brd for 5.8GHz
暂无价格
参考库存:34459
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
1:¥415.6253
25:¥374.0526
100:¥374.0526
参考库存:34464
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