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射频晶体管
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AGR09045EF

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数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.25 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Tray
配置
Single
工作频率
895 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
商品其它信息
优势价格，AGR09045EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 620 H7764
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:27362
MS1336
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥567.8476
100:¥554.6266
参考库存:34984
SD56060
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
20:¥988.9308
40:¥968.1049
100:¥919.6957
参考库存:34989
1214-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,212.3753
参考库存:34994
UF28100V
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
1:¥1,137.9213
2:¥1,118.9486
5:¥1,100.5748
10:¥1,082.8338
25:¥1,043.7923
参考库存:34999
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