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射频晶体管
BFP840FESDH6327XTSA1参考图片

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BFP840FESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP840
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.6 V
集电极连续电流
35 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
85 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
840FESD BFP BFP84FESDH6327XT H6327 SP000977846
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
优势价格,BFP840FESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,502.107
5:¥10,423.8884
参考库存:4325
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
1:¥1,009.3725
10:¥891.2649
25:¥790.9887
50:¥749.6533
参考库存:37712
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,284.6792
5:¥2,217.5233
10:¥2,078.748
25:¥2,029.2653
参考库存:37717
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:37722
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥46.104
10:¥38.5782
25:¥34.6571
50:¥30.736
1,000:¥21.5152
参考库存:8237
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