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射频晶体管
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SD57045

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
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数量单价合计
1
¥579.6787
579.6787
5
¥569.0793
2845.3965
10
¥554.3215
5543.215
25
¥543.4848
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
45 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm
长度
20.57 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57045
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.7 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
93 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD57045的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLW98
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2659
QPD1009
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
1:¥238.204
25:¥206.0103
100:¥178.1897
250:¥165.7484
参考库存:3856
A2T23H160-24SR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥700.0124
参考库存:36018
MRF7S15100HSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
250:¥830.3353
参考库存:36023
LET9045F
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:2923
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