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射频晶体管
SD1275-01参考图片

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SD1275-01

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数量单价合计
1
¥292.4553
292.4553
10
¥283.3136
2833.136
25
¥272.782
6819.55
50
¥267.019
13350.95
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M113
封装
Tray
工作频率
160 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1275-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥637.3878
100:¥627.5568
参考库存:36480
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
1:¥1,834.4759
5:¥1,795.7508
10:¥1,756.9466
50:¥1,756.9466
参考库存:3270
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:36487
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:36492
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:35932
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