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射频晶体管
BFP196WNH6327XTSA1参考图片

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BFP196WNH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.5 GHz
输出功率
-
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
196 BFP H6327 SP001643166 WN
单位重量
6.740 mg
商品其它信息
优势价格，BFP196WNH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
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射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:16439
MMRF1308HSR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
50:¥1,301.6696
参考库存:37356
SKY67101-396LF-EVB
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:37361
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:105666
MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:4028
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