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射频晶体管
PTVA104501EH-V1-R250参考图片

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PTVA104501EH-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥2,955.8088
738952.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17.5 dB
输出功率
450 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-33288-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1215 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA104501EH-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT18P350-4S2LR6
NXP / Freescale
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150:¥1,151.7525
参考库存:37165
LET9045TR
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:37170
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:24850
MMBTH10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
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射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.69947
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:23537
MRFE8VP8600HSR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
50:¥1,064.3131
参考库存:37179
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